[18a-A12-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18a-A12-7] 移動度200 cm²V^-1s^-1を超える非晶質ZnO_xN_y薄膜の合成

^○山崎崇範¹，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，原山勲⁴，関場大一郎⁴，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，UTTAC⁴)

キーワード：移動度,非晶質,半導体