[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-C5-11] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるGaNナノ構造作製とその熱力学的解析

^○喜多諒¹，蜂屋諒¹，菊池昭彦^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテクノロジー研究センター²)

キーワード：窒化物半導体,ナノ,エッチング