[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-C5-14] GaNテンプレート基板とSi基板の常温ウェハ接合

^○土山和晃¹，田原浩行¹，山根啓補¹，関口寛人¹，岡田浩^1,2，若原昭浩¹ (豊技大工¹，EIIRIS²)

キーワード：常温接合,窒化物半導体,シリコン