2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月18日(木) 13:30 〜 19:15 C5 (オープンホール)

14:15 〜 14:30

[18p-C5-3] 高キャリア濃度Siドープn型Al0.03Ga0.97N上のAg電極を用いた高反射電極の検討

河合俊介1,飯田大輔1,岩谷素顕1,竹内哲也1,上山智1,赤﨑勇1,2 (名城大理工1,名大赤﨑研究記念センター2)

キーワード:high carrier concentration Si-doped Al0.03Ga0.97N