[18p-C6-1~17] 3.13 半導体光デバイス

△ [18p-C6-10] GaAs基板上1.3 um帯メタモルフィックInGaAs MQWレーザによる25 Gb/s直接変調動作

^○中尾亮，荒井昌和，小林亘，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

キーワード：半導体レーザ,メタモルフィック