[19p-A15-1~12] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-A15-6] 二光子吸収過程を用いた半導体デバイスの放射線照射効果の評価

^○井辻宏章^1,2，小林大輔^1,2，廣瀬和之^1,2 (東大院工¹，宇宙研²)

キーワード：半導体デバイス,二光子吸収,放射線