2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

08.プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[19p-S9-1~5] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2014年9月19日(金) 13:15 〜 14:30 S9 (S9)

14:00 〜 14:15

[19p-S9-4] リモート窒素プラズマが照射されたSiC表面における窒素原子組成比:活性種の影響

嶋林正晴1,栗原一彰2,佐々木浩一1 (北大工1,東芝研究開発センター2)

キーワード:SiC,リモート窒素プラズマ