[20p-A10-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [20p-A10-2] Investigation of the NiGe bottom electrode in CeO₂ based ReRAM Devices

^○Jisong Jin¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：ReRAM,NiGe