一般セッション(ショート付きポスター講演)

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[17a-E7-40~56] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

2014年3月17日(月) 11:18 〜 11:52 E7 (E201)

ポスター講演　1:30PM～3:30PM　PA（アリーナ）

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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11:18 〜 11:20

▲ [17a-E7-40] Epitaxial Growth and Characterization of n-type Magnetic Semiconductor (In,Co)As

^○Tu Nguyen，Duc Anh Le，Nam Hai Pham，田中雅明 (東京院工)

11:20 〜 11:22

▲ [17a-E7-41] Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As

^○Daisuke Sasaki，Anh Leduc，Hai Phamnam，Masaaki Tanaka (東大工)

11:22 〜 11:24

▼ [17a-E7-42] GaMnAsの反射MCD測定における多重反射の効果

^○寺田博，大矢忍，田中雅明 (東大院工)

11:24 〜 11:26

▲ [17a-E7-43] Evaluation of spin property and magnetic field sensitivity of nitrogen-vacancy center in diamond using micropatterned substrate

^○金子和樹¹，五味朋寛¹，藤澤康二¹，渡邊幸志²，梅澤仁²，鹿田真一²，伊藤公平¹，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，産総研²)

11:26 〜 11:28

▲ [17a-E7-44] A lateral-configuration-type spin photodiode consisting of a ferromagnet-semiconductor junction

^○池田弘樹，西沢望，西林一彦，宗片比呂夫 (東工大像情報)

11:28 〜 11:30

[17a-E7-45] ガラス基板上に作製したアナターゼ型(Ti,Co)O₂薄膜

^○山田義春 (阪府産技研)

11:30 〜 11:32

[17a-E7-46] 希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te中のCr不純物準位のSTM観察

^○西村拓，金澤研，吉田昭二，重川秀実，黒田眞司 (筑波大数理物質科学研究科)

11:32 〜 11:34

[17a-E7-47] MBEにより成長した四元混晶希薄磁性半導体(Zn,Cr,Fe)Te薄膜の磁化特性

^○土門武，石塚智史，秋山了太，金澤研，黒田眞司 (筑波大)

11:34 〜 11:36

△ [17a-E7-48] 低温成長GaAsのキャリア及びスピン緩和の観測

^○（M1）本多一輝¹，上村光典¹，安江雄也¹，LuShulong²，DaiPan²，竹内淳¹ (早大先進理工¹，SINANO-CAS²)

11:36 〜 11:38

△ [17a-E7-49] InGaAsPのスピン緩和時間の温度依存性

^○原澤遼¹，浅香尚洋¹，山本直輝¹，HaoWu¹，ShulongLu²，LianJi²，竹内淳¹ (早大先進理工¹，SINANO-CAS²)

11:38 〜 11:40

[17a-E7-50] 高濃度CeドーピングSi薄膜における磁場誘起起電力II

^○宮田祐輔，吉村武，芦田淳，藤村紀文 (阪府大)

11:40 〜 11:42

△ [17a-E7-51] Ge_1-xMn_xTe薄膜の異常ネルンスト効果

^○坂田直文，桑原惇，西村謙介，岸本堅剛，浅田裕法，小柳剛 (山口大院理工)

11:42 〜 11:44

▲ [17a-E7-52] Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L2₁-Co₂FeSi Heusler-compound electrodes

^○藤田裕一¹，笠原健司¹，山田晋也¹，澤野憲太郎²，宮尾正信¹，浜屋宏平¹ (九大・院システム情報¹，東京都市大総研²)

11:44 〜 11:46

▼ [17a-E7-53] Comparison of the resonant tunneling spectroscopy results between GaAs:Be and GaMnAs

^○（DC）宗田伊理也，寺田博，大矢忍，田中雅明 (東大院工)

11:46 〜 11:48

▼ [17a-E7-54] Growth temperature dependence of the properties including the Fe-atom locations in ferromagnetic-semiconductor GeFe

^○（M2）若林勇希，伴芳祐，大矢忍，田中雅明 (東大)

11:48 〜 11:50

▲ [17a-E7-55] Transport measurements toward gate-controlled transition between persistent and inverse persistent spin helix states

^○吉住孝平，佐々木敦也，好田誠，新田淳作 (東北大)

11:50 〜 11:52

▲ [17a-E7-56] All electrical determination of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interactions in InGaAs narrow wires

^○佐々木敦也¹，国橋要司¹，好田誠¹，TobiasBauernfeind²，TobiasDollinger²，KlausRichter²，新田淳作¹ (東北大工¹，Regensburg Univ.²)