一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[18p-D6-1~19] 6.2 カーボン系薄膜

2014年3月18日(火) 13:30 〜 18:45 D6 (D209)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:15〜13:30 (12:15 〜 13:30)

13:30 〜 13:45

[18p-D6-1] 原子的平坦OH終端ダイヤモンド(111)表面の形成

^○宮田大輔¹，神谷昇吾¹，徳田規夫^1,2,3，牧野俊晴^2,3，竹内大輔^2,3，山崎聡^2,3，猪熊孝夫¹ (金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，JST, CREST³)

13:45 〜 14:00

△ [18p-D6-2] 熱処理により表面伝導を回復した(111)ダイヤモンドの表面構造

^○瀬下裕志，袴田知宏，小野和子，横山悠樹，宇都宮大起，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

14:00 〜 14:15

[18p-D6-3] 熱混酸およびVUVオゾン処理ダイヤモンド(001)表面の酸素被覆量と構造

^○河野省三¹，寺地徳之²，児玉英之¹，澤邊厚仁¹ (青山学院大理工¹，物材機構²)

14:15 〜 14:30

△ [18p-D6-4] CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察

^○（B）桝谷聡士¹，村上竜一¹，角谷均²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，住友電工²)

14:30 〜 14:45

△ [18p-D6-5] エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅴ

^○市川公善¹，児玉英之¹，鈴木一博²，澤邊厚仁¹ (青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²)

14:45 〜 15:00

[18p-D6-6] シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定

村上竜一¹，桝谷聡士¹，松永晃和¹，原田和也¹，角谷均²，^○嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，住友電工²)

休憩 15:00〜15:15 (15:00 〜 15:15)

15:15 〜 15:30

[18p-D6-7] イオン化積分法によるダイヤモンドの破壊電界

^○平岩篤¹，川原田洋^1,2 (早大ナノ理工¹，早大理工²)

15:30 〜 15:45

△ [18p-D6-8] C-HダイヤモンドMOSFETの10-673K動作特性

^○許德?，坪井秀俊，成尾智也，山田哲也，大長央，斉藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

15:45 〜 16:00

△ [18p-D6-9] 重水を用いた原子層堆積(ALD)法によるAl₂O₃膜電気的絶縁耐圧の向上

^○車一宏，斎藤達也，大長央，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

16:00 〜 16:15

△ [18p-D6-10] ALD-Al₂O₃水素終端ダイヤモンドMOSFETの高耐圧化

^○山田哲也，成尾智也，坪井秀俊，許德?，大長央，斎藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

16:15 〜 16:30

[18p-D6-11] ダイヤモンド(001)表面の金オーミック電極の障壁高さ

^○河野省三¹，寺地徳之²，市川公善¹，児玉英之¹，澤邊厚仁¹ (青山学院大理工¹，物材機構²)

16:30 〜 16:45

△ [18p-D6-12] ケルビンプローブ顕微鏡を用いた高濃度n型ダイヤモンドの表面電位の評価

^○白田和也^1,2,3，竹内大輔^2,3，小倉政彦^2,3，加藤宙光^2,3，牧野俊晴^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^1,2,3 (筑波大¹，産総研²，CREST³)

休憩 16:45〜17:00 (16:45 〜 17:00)

17:00 〜 17:15

▼ [18p-D6-13] Normally-off HfO2/diamond field effect transistors fabrication

^○劉江偉，廖梅勇，井村将隆，小出康夫 (物材機構)

17:15 〜 17:30

▲ [18p-D6-14] WC/p-diamond Schottky Diode Behaviour at High Temperature

^○（PC）AlexandreFiori，寺地徳之，小出康夫 (物材機構)

17:30 〜 17:45

[18p-D6-15] Al₂O₃およびHfO₂/水素終端ダイヤモンド界面の周波数分散特性

^○小出康夫^1,2，劉江偉¹，廖梅勇¹，井村将隆¹，大里啓孝²，渡辺英一郎²，津谷大樹² (物材機構光電ユニット¹，物材機構微細加工PF²)

17:45 〜 18:00

△ [18p-D6-16] ボロンドープチャネルを用いたフッ素終端電解質溶液ゲートFETの作成

^○小林幹典¹，新谷幸弘^1,2，明道三穂¹，川原田洋¹ (早大理工¹，横河電機²)

18:00 〜 18:15

△ [18p-D6-17] 球型共振器構造マイクロ波プラズマCVD装置による高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)の超伝導

^○蔭浦泰資¹，古閑三靖¹，山口尚秀²，高野義彦²，川原田洋¹ (早大理工¹，物材機構²)

18:15 〜 18:30

[18p-D6-18] (001)面リンドープn型ダイヤモンド成長における基板オフ角依存性

^○川島宏幸^1,3，加藤宙光^1,3，小倉政彦^1,3，鈴木真理子^1,2,3，牧野俊晴^1,3，竹内大輔^1,3，山崎聡^1,3 (産総研¹，東芝²，JST-CREST³)

18:30 〜 18:45

[18p-D6-19] ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの電気特性

^○牧野俊晴^1,2，桑原大輔^1,2,3，松本翼^1,2,3，加藤宙光^1,2，竹内大輔^1,2，小倉政彦^1,2，大串秀世^1,2，山崎聡^1,2,3 (産総研エネ部門¹，CREST/JST²，筑波大³)