一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月19日(水) 13:30 〜 18:45 F12 (F408)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜13:30 (12:30 〜 13:30)

13:30 〜 13:45

[19p-F12-1] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討（Ⅵ）：閉じ込め効果の異方性のSi 膜厚依存性

^○永田祐介¹，中原雄太¹，鈴木佑弥¹，斉田健吾¹，長嶺由騎¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

13:45 〜 14:00

[19p-F12-2] 数nm-CMOS素子用二次元Siの検討(Ⅶ):量子的閉じ込め効果のドナー/アクセプター濃度依存性

^○中原雄太¹，永田祐介¹，鈴木佑弥¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

14:00 〜 14:15

[19p-F12-3] SOI MOSFET単一フォトン検出器の性能予測

^○中神裕揮¹，DedySeptonoCaturPutranto^1,2，佐藤弘明¹，小野篤史¹，PurnomoSidiPriambodo²，DjokoHartanto²，猪川洋¹ (静岡大¹，インドネシア大²)

14:15 〜 14:30

[19p-F12-4] 単一トラップ準位を用いた高速単電子ポンプ

^○山端元音，西口克彦，藤原聡 (NTT物性基礎研)

14:30 〜 14:45

[19p-F12-5] 浮遊ゲートを有する室温動作シリコン単電子トランジスタにおけるクーロンブロッケード振動のピーク位置制御

^○棚橋裕麻^1,2，鈴木龍太¹，更屋拓哉¹，平本俊郎¹ (東大生研¹，中大理工²)

14:45 〜 15:00

[19p-F12-6] SF6ドライエッチングによるシリコン量子ドットの作製と評価

^○呂逸¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

15:00 〜 15:15

[19p-F12-7] ホール輸送によるp型二重結合量子ドットの磁場依存性

^○山田宏¹，小寺哲夫^1,2,3，蒲原知宏¹，堀部浩介¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

15:15 〜 15:30

△ [19p-F12-8] Si/SiGe二重量子ドットによるパウリスピンブロッケードの観測

^○神岡純¹，武田健太²，小幡利顕²，小寺哲夫^1,3,4，樽茶清悟^2,3,5，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大工²，東大ナノ量子機構³，さきがけ-JST⁴，理研⁵)

15:30 〜 15:45

△ [19p-F12-9] 形状異方性を持つ強磁性体を用いた局所磁場によるシリコン量子ドット中の電子スピン共鳴法の検討

^○蒲原知宏¹，小寺哲夫^1,2,3，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

15:45 〜 16:00

[19p-F12-10] 電荷センサを集積した三角形状三重量子ドット構造による電荷フラストレーション

^○溝口来成¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³)

16:00 〜 16:15

[19p-F12-11] マルチゲート二重量子ドットSi単電子トランジスタのカップリング容量の制御

^○内田貴史¹，吉岡勇¹，佐藤光¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

16:15 〜 16:30

[19p-F12-12] 3端子ナノドットアレイの高機能の創出

^○吉岡勇¹，内田貴史¹，佐藤光¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

休憩 16:30〜16:45 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:00

[19p-F12-13] In-situ P doped SiGeストレッサーを有する引張り歪みGeOI nMOSFETの高電流駆動力実証

^○上牟田雄一¹，守山佳彦¹，三枝栄子¹，前田辰郎¹，JevasuwanWipakorn¹，倉島優一²，高木秀樹²，小田穣¹，入沢寿史¹，池田圭司¹，黒澤悦男¹，手塚勉¹ (産総研GNC¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

▲ [19p-F12-14] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates

^○XiaoYu^1,2，張睿^1,2，亢健^1,2，前田辰郎³，板谷太郎³，長田剛規⁴，秦雅彦⁴，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大¹，JST-CREST²，産総研³，住友化学⁴)

17:15 〜 17:30

▲ [19p-F12-15] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO₂/Al₂O₃/GeO_x Gate Stacks

^○（P）張睿^1,2,4，WinstonChern³，玉?^1,2，竹中充^1,2，HoytJudy³，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，MIT³，浙江大⁴)

17:30 〜 17:45

[19p-F12-16] FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証

^○臼田宏治，鎌田善己，上牟田雄一，森貴洋，小池正浩，手塚勉 (産総研GNC)

17:45 〜 18:00

[19p-F12-17] 単一金属ゲート電極を用いた多結晶ゲルマニウムノーマリーオフジャンクションレス p-&n-MISFETs

^○鎌田善己，小池正浩，上牟田雄一，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

18:00 〜 18:15

[19p-F12-18] 固相エピタキシー法によるSi(111)基板上の極薄GeSn-pMOSFETs

^○前田辰郎¹，WipakornJevasuwan¹，服部浩之¹，内田紀行¹，三浦脩²，田中正俊²，JeanLocquet³，RubenLieten^3,4 (産総研¹，横国大²，KU Leuven³，IMEC⁴)

18:15 〜 18:30

[19p-F12-19] 金属GaSb合金を用いた金属/GaSb接合の電気特性

^○西康一^1,2，金相賢^1,2，横山正史¹，横山春喜³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，NTTフォトニクス研³)

18:30 〜 18:45

[19p-F12-20] 基板貼り合わせ法によるGaSb-OI on Si基板の作製とGaSb-OI p-MOSFETの動作実証

^○横山正史¹，西康一^1,2，横山春喜³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，NTTフォトニクス研³)