[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

昼食 12:00〜13:00 (12:00 〜 13:00)

13:00 〜 13:15

[20p-D8-1] f_max>400GHzの高周波特性を有する高耐圧InP/InGaAs DHBT

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

13:15 〜 13:30

^○星拓也，柏尾典秀，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田実，松崎秀昭，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

13:30 〜 13:45

^○白鳥悠太¹，柏尾典秀¹，日暮栄治²，松崎秀昭¹ (NTTフォトニクス研究所¹，東大²)

13:45 〜 14:00

^○小野瑞城，手塚勉 (産総研 GNC)

14:00 〜 14:15

長井彰平¹，永井佑太郎¹，藤川紗千恵¹，原紳介²，遠藤聡²，渡邊一世^1,2，笠松章史²，藤代博記¹，^○初芝正太¹ (東理大院基礎工¹，情報通信研究機構²)

14:15 〜 14:30

^○矢島悠貴，大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大基礎工)

14:30 〜 14:45

^○宇井利昌，工藤昌宏，鈴木寿一 (北陸先端科学技術大学院大)

14:45 〜 15:00

^○吉武道子 (物材機構)