[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [17p-E11-1] 成長抑制現象を用いたInAs/GaAs量子ドットの形成とその光学特性評価

^○（D）權晋寛¹，角田雅弘²，渡邉克之¹，太田泰友²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

キーワード：量子ドット,分子線エピタキシ