[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [17p-E11-14] 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性

^○浦上法之¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

キーワード：半導体