[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PG3-19] ZnO系透明導電膜における抵抗率とc-軸長の基板位置依存性

^○菊池大樹，井上創太，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

キーワード：透明導電体