[18a-E5-1~8] 15.6 IV族系化合物

[18a-E5-1] 4H-SiC表面酸化機構の酸化温度と酸素分圧による違いの理解

^○喜多浩之^1,2，菊地リチャード平八郎¹，平井悠久¹ (東大院工¹，JSTさきがけ²)

キーワード：熱酸化,成長機構,SiC