[18a-E5-1~8] 15.6 IV族系化合物

△ [18a-E5-5] 4H-SiC (11-20)面及び(1-100)面基板上に作製したラテラルMOSFETの特性比較

^○有吉恵子^1,2，原田信介^1,3，先崎純寿^1,3，小島貴仁^1,4，小林勇介^1,4，田中保宣^1,3，飯島良介²，四戸孝^1,2 (FUPET¹，東芝²，産総研³，富士電機⁴)

キーワード：SiC,MOSFET,ゲート絶縁膜