[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-4] 1軸および2軸圧縮ひずみを有する(100)/<100> GeOIチャネルメタルS/D pMOSFETの優位性実証

^○池田圭司，守山佳彦，上牟田雄一，小野瑞城，入沢寿史，小田穣，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：MOSFET,Ge