[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-6] AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性

^○中野由崇¹，色川芳宏²，角谷正友²，住田行常³，八木修一³，河合弘治³ (中部大¹，物材機構²，パウデック³)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造,炭素関連欠陥準位,ターンオン電流回復特性