2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15.結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG6 (G棟2階)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-13] Recombination center in p-GaAsN grown by chemical beam epitaxy

HiroyukiKowaki,○(D)OmarElleuch,KazumaIkeda,BoussairiBouzazi,NobuakiKojima,YoshioOhshita,MasafumiYamaguchi (Toy T Inst)

キーワード:GaAsN, chemical beam epitaxy,GaAsN, chemical beam epitaxy,GaAsN, chemical beam epitaxy