[19a-D9-1~13] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19a-D9-12] レーザー補助3次元アトムプローブによるSi中の不純物Cの分析検討

^○金野晃之¹，佐々木智一²，大久保忠勝³，富田充裕¹，宝野和博³ (東芝研究開発センター¹，東芝ナノアナリシス²，物材機構³)

キーワード：アトムプローブ,シリコン,不純物