[19a-PA4-1~12] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[19a-PA4-6] スパッタリングターゲット有効利用のための単極磁場配位型マグネトロンプラズマ生成

^○大津康徳¹，執行正和¹，青柳彰宏¹，秋山守人²，田原竜夫² (佐大院工¹，産総研²)

キーワード：マグネトロンスパッタ,単極磁場,ターゲット浸食