2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:30 D8 (D215)

14:15 〜 14:30

[19p-D8-2] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価

○(D)瀧本拓真,中村成志,奥村次徳 (首都大理工)

キーワード:GaN,欠陥,プラズマ