[19p-E13-1~17] 窒化物半導体特異構造の科学　〜成長・作製と新機能の発現〜

[19p-E13-13] InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討

^○藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (農工大院工)

キーワード：ab initio, 窒化物, InGaN, HVPE