[19p-E18-7~19] 17.4 デバイス応用

△ [19p-E18-10] トップコンタクト電極を用いたCNT/SiC界面の接触抵抗及びSchottky障壁高さの評価

^○鈴木和真¹，稲葉優文¹，渋谷恵¹，李智宇¹，明道三穂¹，平岩篤¹，増田佳穂²，乗松航²，楠美智子²，川原田洋¹ (早大理工¹，名大²)

キーワード：カーボンナノチューブ,炭化珪素,ショットキー障壁