[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-6] SF6ドライエッチングによるシリコン量子ドットの作製と評価

^○呂逸¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

キーワード：量子ドット