Formation of B-doped BaSi<sub>2</sub> films by RF sputtering on a heated glass substrate

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D3 (D114)

09:00 〜 09:15

^○（M1）NurulAmalAbdullatiff¹，米山貴裕¹，召田雅実²，倉持豪人²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院電子・物理工学専攻¹，東ソー²，JST-CREST³)

キーワード：silicide,sputtering