2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 D9 (D315)

10:15 〜 10:30

[20a-D9-5] 次世代TCAD(i) 金属/4H-SiC(0001)界面のショットキーバリア高さの第一原理計算

加藤信彦,森一樹,西原慧径,岡崎一行,小池秀耀 (アドバンスソフト)

キーワード:SiC,ショットキーバリア高さ,第一原理計算