[20a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20a-E14-1] Siナノワイヤ幅の縮小によるカーケンダルボイド発生の抑制

^○武井康平¹，鹿浜康寛¹，山下広樹¹，小杉山洋希¹，橋本修一郎¹，孫静¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

キーワード：ナノワイヤ,シリサイド,シリコン