09:45 〜 10:00
▼ [20a-F10-4] Significant effects of semiconductor substrate on interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stacks through ultra-high vacuum annealing
キーワード:HfO2 gate stack,SiO2 scavenging
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Si-English Session
2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F10 (F406)
09:45 〜 10:00
キーワード:HfO2 gate stack,SiO2 scavenging