[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-PG1-2] 酸化アルミニウムマスクを用いた電流制御型液相成長によるGaN選択成長

^○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

キーワード：LPEE,MCE,GaN