2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D8 (D215)

13:45 〜 14:00

[20p-D8-4] Ge及びIn0.53Ga0.47Asチャネル素子に於ける素子面積の低減

○小野瑞城，手塚勉 (産総研 GNC)

キーワード：高移動度チャネル,素子面積,Vthバラツキ