[13a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [13a-1C-10] 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTによるE/Dインバータ特性

〇大澤 弘樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、シリコン、多結晶シリコン

V_th制御が可能な自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを用いて、E/Dインバータを作製した。E/Dインバータは電源電圧3.0[V]で動作し、V_th制御により良好な特性を得ることを確認した。