[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-1D-18] m面サファイア基板上半極性AlN/AlGaN層の結晶成長と光学特性

〇大島 一晟^1,2、定 昌史¹、前田 哲利¹、鎌田 憲彦²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大)

キーワード：半極性、AlNテンプレート、AlGaN

無極性及び半極性のAlGaNヘテロ構造は、深紫外発光ダイオード（DUV-LED）の高い内部量子効率（IQE）を得るために注目されている。本研究では、高い成長温度（～1500℃）でm面サファイア上に半極性AlN層を成膜し、平滑な表面を得た。また、成長時のV/III比を変えることによって、（1-103）面と（11-22）面のAlN層の結晶面を区別した。さらに、成膜したAlN上に半極性AlGaN層を作製し、室温で267 nmのDUVフォトルミネッセンス（PL）を得た。