2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

14:30 〜 14:45

[13p-1D-6] ハイドライド気相成長法におけるGaNファセット制御

〇河原 慎1、井原 洋1、傳寶 裕晶1、岡田 成仁1、山根 啓輔2、只友 一行1 (1.山口大学院理工、2.豊橋技術科学大)

キーワード：窒化ガリウム、ハイドライド気相成長、ファセット