[13p-1E-1~17] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[13p-1E-8] シリコン結晶における高温酸化による空孔注入機構の検討

〇中村 浩三¹ (1.岡山県立大 地域共同研究機構)

キーワード：酸化、空孔

シリコンを熱酸化すると格子間シリコンは過飽和になると一般に考えられている。しかし、1300℃以上の高温酸化においては空孔が過飽和になることを示唆するいくつかの実験結果が報告されている。本報告ではその中で末澤らが報告した高温 Wet 酸化による空孔濃度の増加についての系統的なデータを用い、高温酸化による空孔注入のメカニズムを検討したので報告する。