18:00 〜 18:15
[13p-2Q-18] PLD法によりSr2SiO4ターゲットから作製したSr2SiO4薄膜の
膜中固定電荷のアニール温度依存性
キーワード：ストロンチウムシリケイト、固定電荷
講演情報
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料
[13p-2Q-1~27] 6.4 薄膜新材料
2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:30 2Q (231-1)
座長:西川 博昭(近畿大),田中 勝久(京大),名村 今日子(京大),篠田 健太郎(産総研)