[13p-2S-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [13p-2S-14] 微細トップゲート構造によるシリコン導波型グラフェン光変調器

〇堀 洋輔¹、高 磊^2,3、土澤 泰^2,3、田邉 真一³、小林 弓月¹、原田 裕一⁴、日比野 浩樹⁴、山本 剛³、山田 浩治^2,3、中島 啓幾¹ (1.早大先進理工、2.NTT NPC、3.NTT 先端集積デバイス研、4.NTT 物性基礎研)

キーワード：シリコンフォトニクス、グラフェン、変調器

グラフェンは様々な光学的性質を有しており、光デバイスの応用に向けて盛んに研究が行われている。そこで我々はイオン注入フリーのトップゲート構造のグラフェン光変調器を提案し、シミュレーションによる構造最適化を行ってきた。その結果、作製プロセスの簡略化とともに、光変調が行えることを示した。本稿では、提案したデバイス構造を作製し、基礎的なデバイス特性を明らかにした上で光変調動作を実証した。