[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-11] GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性

〇(M1)鈴木 浩基¹、藤川 紗千恵¹、藤代 博記¹ (1.東理大院基礎工)

キーワード：GaSb、MBE

近年、InSbを用いた中赤外線光デバイスの開発が行われている。InSbは、GaAsと格子不整合度が14.6%と大きい。格子不整合による結晶品質の悪化を避けるために、緩衝層が必要となる。しかし、GaAs(100)基板上にそのまま緩衝層のGaSbを成長させると、螺旋転位が生じることがわかっている[1]。本研究では、GaAs基板上にGaSb緩衝層を導入したInSb結晶の高品質化を目的として、オフ角0°(Just) と2°offのGaAs基板を用いて、GaSb及びInSb成長の特性評価を行ったので報告する。