[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[13p-PB2-8] Characterization of InGaSb thin heteroepitaxial layer on AlGaSb buffer layer

〇Shinsuke Hara¹, Issei Watanabe¹, Tatsuya Taketsuru², Daisuke Tsuji², Sachie Fujikawa², Hiroki Fujishiro², Kouichi Akahane¹, Akifumi Kasamatsu¹ (1.NICT, 2.Tokyo Unv. Sci.)

Keywords:III-V compound semiconductor,MBE,InGaSb

InGaSbをチャネル層に利用したHEMTの開発を目指し、GaAs(100)基板上InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の結晶性、平坦性の評価を行った。10 nmのIn_0.28Ga_0.72Sb層はAl_0.8Ga_0.2Sbバッファ層上にMBE法により成長した。結果、InGaSb/AlGaSb界面より、転位・積層欠陥（双晶）に起因する多数の欠陥孔が観察された。V/III比を最適化することにより、欠陥孔の領域を低減できることがわかった。同ヘテロ構造を用い、InAs/InGaSbチャネル層によるn型のQW構造を作製し特性評価を行った。