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[13p-PB2-8] InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価
キーワード:III-V族化合物半導体、分子線エピタキシー法、インジウムガリウムアンチモン
InGaSbをチャネル層に利用したHEMTの開発を目指し、GaAs(100)基板上InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の結晶性、平坦性の評価を行った。10 nmのIn0.28Ga0.72Sb層はAl0.8Ga0.2Sbバッファ層上にMBE法により成長した。結果、InGaSb/AlGaSb界面より、転位・積層欠陥(双晶)に起因する多数の欠陥孔が観察された。V/III比を最適化することにより、欠陥孔の領域を低減できることがわかった。同ヘテロ構造を用い、InAs/InGaSbチャネル層によるn型のQW構造を作製し特性評価を行った。