[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-16] 過剰酸素の抑制による真空環境で安定なIn-Si-O TFT

〇相川 慎也^1,2、三苫 伸彦¹、木津 たきお¹、生田目 俊秀¹、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大)

キーワード：アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタ、過剰酸素

アモルファス酸化薄膜トランジスタ（TFT）の安定動作のためには，酸素空孔の制御が重要である．しかしながら，成膜時に酸化薄膜内に取り込まれる過剰酸素の脱離によってTFT特性が著しく変化してしまう問題があった．本研究では，酸化薄膜中の過剰酸素を抑制することで，長期の真空環境でも特性変化が生じない高い環境安定性を有するIn-Si-O TFTを実現した．