[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-1B-6] ミストCVD法を用いた硫黄添加酸化亜鉛薄膜の形成と評価

〇里 善仁¹、皆見 憲亮¹、石原 卓也¹、中 良弘^1,3、永岡 昭二^2,3、須恵 耕二¹、中村 有水^1,3 (1.熊大大学院自然科学、2.熊本産技、3.くまもと有機薄膜)

キーワード：酸化物半導体、酸化亜鉛