[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-1D-1] NH₃分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅰ): InN成長

〇山本 高勇^1,2、児玉 和樹^1,2、重川 直輝³、松岡 隆志⁴、葛原 正明¹ (1.福井大、2.JST-CREST、3.大阪市大、4.東北大)

キーワード：窒化インジウム、有機金属気相エピタキシ、アンモニア分解触媒

InNのMOVPE成長において、ペレット状NH₃分解触媒の使用によりNH₃の低温分解が促進され、その結果、InNの低温（～400℃）成長とマイグレーション促進効果による高品質結晶成長の可能性があることを見出した。