2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[14a-2J-1~12] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:15 2J (223)

座長:谷口 知大(産総研)

10:00 〜 10:15

[14a-2J-5] Evaluation of write error rate for voltage-induced dynamic switching in perpendicularly magnetized magnetic tunnel juncitons

〇Yoichi Shiota1, Takayuki Nozaki1, Shingo Tamaru1, Kay Yakushiji1, Hitoshi Kubota1, Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1, Yoshishige Suzuki1,2 (1.AIST Spintronics Research Center, 2.Osaka Univ.)

キーワード:voltage-induced dynamic switching