2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-2W-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年9月14日(月) 09:15 〜 12:15 2W (234-2(北側))

座長:間野 高明(物材機構)

10:15 〜 10:30

[14a-2W-5] 低温成長InxGa1-xAsの熱処理による結晶化

〇富永 依里子1、角屋 豊1、森岡 仁2、上田 修3 (1.広大院先端研、2.ブルカーAXS、3.金沢工大)

キーワード：低温成長GaAs系半導体、分子線エピタキシー、構造評価