09:45 〜 10:00
[14a-4C-4] High-k/GeNx/Ge構造における界面特性評価
キーワード：ゲルマニウム、窒化膜
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術
2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)
座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)
座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)
09:45 〜 10:00
キーワード：ゲルマニウム、窒化膜