[14a-4D-1~11] 13.7 ナノ構造・量子現象

[14a-4D-6] GaAs半導体中格子歪み分布の核スピンによる観察

西森 将志¹、長谷川 広和¹、〇佐々木 進¹、渡辺 信嗣²、平山 祥郎^2,3 (1.新潟大自、2.JST-ERATO、3.東北大理)

キーワード：格子不整合歪み、GaAs、核磁気共鳴法

半導体中の格子不整合に起因する歪みの様子を把握することは，より高品質な半導体を作成する目的を初め，極めて重要な知見を与える。今回，GaAs基板の上に交互に積層されたGaAs層とAl_0.3Ga_0.7As層において，Al核スピンをプローブとしたNMRを超高感度で行うことにより，GaAs界面と超格子との格子不整合による歪みが，界面垂直方向に分布する様子を核スピンにより観測した。