2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

13:15 〜 13:30

[14p-1C-1] P-SiN薄膜の破壊強度

〇石塚 典男1、佐久間 憲之1、小野瀬 保夫2 (1.日立研開、2.日立オートモティブシステムズ)

キーワード：MEMS、破壊強度、P-SiN薄膜