2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

16:00 〜 16:15

[14p-1C-11] 熱フィラメント法による大気圧下での水素ラジカル発生とその濃度測定

〇岡本 裕二1,2、Dahmani Fatima Zohra3、堤 大耀4、石垣 隆正4、角谷 正友1 (1.物材機構、2.筑波大、3.USTO-MB、4.法政大)

キーワード:水素ラジカル、熱フィラメント、シーメンス法

シリコン太陽電池の原料である高純度シリコン(Si)は、トリクロロシラン(SiHCl3)を水素ガス(H2)で還元することで製造される(シーメンス法)。しかし実際にはテトラクロロシラン(SiCl4)を生成するSiHCl3の熱分解が優先的に進むため、Si収率が約25%と低いことが課題である。我々はこれまで、熱フィラメント法及びプラズマ法で発生させた水素ラジカルが還元反応を促進し、Si収率の向上を提案・検討してきた。本研究では熱フィラメント法を用い大気圧で水素ラジカルを発生させ、反応装置に導入された水素ラジカル濃度を定量的に測定した。